Po co ufać firmie?
Przejmujemy panikę z zamówień. Mamy miliony trudno dostępnych części z naszych zaufanych źródeł. Odświeżamy nasze oferty produktów o kilka minut, a zakupy online są realizowane w czasie rzeczywistym i wysyłane codziennie.
Założona w 2002 r. MFGChips jest lokalnym liderem w dystrybucji elementów elektronicznych, a także jest uznawana za jedną z najbardziej szanowanych i innowacyjnych firm na lokalnym rynku. Siedziba główna MFGChips z siedzibą w Hongkongu zyskała imponującą reputację dzięki doskonałej obsłudze i opracowywaniu wydajnych, kompleksowych globalnych rozwiązań w zakresie łańcucha dostaw.
Ucz się więcej >
TVS Dioda dla SIC MOSFET Ochrona
Seria diod TVS oferuje ochronę jednoskładnikową sterowników SIC MOSFET Gate, upraszczając projekty i poprawę ochrony przepięcia w systemach EV.
Litfelfuse, Inc. ogłosił uruchomienie swojej asymetrycznej serii diod Asymetical TVS TPSMB.Firma twierdzi, że ten produkt jest pierwszą asymetryczną diodą supresji napięcia przejściowego (TVS) zaprojektowanego w celu ochrony sterowników MOSFET Gate Gate (SIC) w aplikacjach motoryzacyjnych.Dioda zaspokaja potrzebę ochrony nad przepięciem w systemach pojazdów elektrycznych (EV), oferując jednocześnie rozwiązanie, które zastępuje wiele diod Zenera lub komponentów TVS wcześniej używanych do ochrony sterownika bramki.
Asymetryczna seria TVS TPSMB zapewnia ochronę sterowników SIC MOSFET Gate, które są podatne na zdarzenia przepięcia ze względu na ich szybsze prędkości przełączania w porównaniu z tradycyjnymi MOSFETami lub IGBTami na bazie krzemu.Asymetryczna konstrukcja obejmuje różne pozytywne i ujemne oceny napięcia napięcia sterownika MOSFET SIC, zapewniając wydajność w aplikacjach energii samochodowej, takich jak ładowarki pokładowe (OBC), falowniki trakcyjne EV, interfejsy I/O i autobusy VCC.Zastosowania te wymagają ochrony przepięcia w celu utrzymania wydajności, trwałości i wydajności.
Asymetryczna dioda TVS TVS TVS TPSMB oferuje kilka funkcji chroniących sterowniki SIC MOSFET w aplikacjach motoryzacyjnych.Jedną zaletą jest jego zdolność do zapewnienia ochrony sterownika SIC MOSFET SIC MOSFET, eliminując potrzebę wielu diod Zenera lub TVS i zmniejszenie liczby komponentów.Dioda jest zaprojektowana do asymetrycznej ochrony napięcia sterownika bramki, zajmującej się różnymi ocenami napięcia ujemnego i dodatnim MOSFET SIC.
Dioda jest dostępna w pakiecie DO-214AA, odpowiedni do ograniczonych kosmicznych projektów motoryzacyjnych.Jest to kwalifikowane przez AEC-Q101, zapewniając niezawodność aplikacji motoryzacyjnych.Seria asymetryczna TPSMB oferuje ochronę z możliwościami rozpraszania mocy do rozpraszania mocy impulsu do 600 W, skutecznie chroniąc przed przejściowymi zdarzeniami przepięcia.Dioda ma również niskie napięcie zacisku, chroniące ujemne dyski bramy.
Charlie CAI, dyrektor ds. Zarządzania produktem, biznes ochrony, Litfelse, podkreśla wartość, którą ten produkt wnosi do inżynierów motoryzacyjnych: „Seria diod Asymetical TVS TPSMB oferuje innowacyjne rozwiązanie ochrony sterownika SIC MOSFET Gate, eliminując potrzebę wielu komponentów i uproszczenie i upraszczanie informacjiProces projektowania dla inżynierów.Jego kompaktowa, niezawodna konstrukcja zapewnia, że krytyczne systemy elektroenergetyczne są zabezpieczone przed zdarzeniami przepięcia, wspierając dalszy rozwój pojazdów elektrycznych i innych aplikacji o wysokiej wydajności. ”
Litfelfuse, Inc. ogłosił uruchomienie swojej asymetrycznej serii diod Asymetical TVS TPSMB.Firma twierdzi, że ten produkt jest pierwszą asymetryczną diodą supresji napięcia przejściowego (TVS) zaprojektowanego w celu ochrony sterowników MOSFET Gate Gate (SIC) w aplikacjach motoryzacyjnych.Dioda zaspokaja potrzebę ochrony nad przepięciem w systemach pojazdów elektrycznych (EV), oferując jednocześnie rozwiązanie, które zastępuje wiele diod Zenera lub komponentów TVS wcześniej używanych do ochrony sterownika bramki.
Asymetryczna seria TVS TPSMB zapewnia ochronę sterowników SIC MOSFET Gate, które są podatne na zdarzenia przepięcia ze względu na ich szybsze prędkości przełączania w porównaniu z tradycyjnymi MOSFETami lub IGBTami na bazie krzemu.Asymetryczna konstrukcja obejmuje różne pozytywne i ujemne oceny napięcia napięcia sterownika MOSFET SIC, zapewniając wydajność w aplikacjach energii samochodowej, takich jak ładowarki pokładowe (OBC), falowniki trakcyjne EV, interfejsy I/O i autobusy VCC.Zastosowania te wymagają ochrony przepięcia w celu utrzymania wydajności, trwałości i wydajności.
Asymetryczna dioda TVS TVS TVS TPSMB oferuje kilka funkcji chroniących sterowniki SIC MOSFET w aplikacjach motoryzacyjnych.Jedną zaletą jest jego zdolność do zapewnienia ochrony sterownika SIC MOSFET SIC MOSFET, eliminując potrzebę wielu diod Zenera lub TVS i zmniejszenie liczby komponentów.Dioda jest zaprojektowana do asymetrycznej ochrony napięcia sterownika bramki, zajmującej się różnymi ocenami napięcia ujemnego i dodatnim MOSFET SIC.
Dioda jest dostępna w pakiecie DO-214AA, odpowiedni do ograniczonych kosmicznych projektów motoryzacyjnych.Jest to kwalifikowane przez AEC-Q101, zapewniając niezawodność aplikacji motoryzacyjnych.Seria asymetryczna TPSMB oferuje ochronę z możliwościami rozpraszania mocy do rozpraszania mocy impulsu do 600 W, skutecznie chroniąc przed przejściowymi zdarzeniami przepięcia.Dioda ma również niskie napięcie zacisku, chroniące ujemne dyski bramy.
Charlie CAI, dyrektor ds. Zarządzania produktem, biznes ochrony, Litfelse, podkreśla wartość, którą ten produkt wnosi do inżynierów motoryzacyjnych: „Seria diod Asymetical TVS TPSMB oferuje innowacyjne rozwiązanie ochrony sterownika SIC MOSFET Gate, eliminując potrzebę wielu komponentów i uproszczenie i upraszczanie informacjiProces projektowania dla inżynierów.Jego kompaktowa, niezawodna konstrukcja zapewnia, że krytyczne systemy elektroenergetyczne są zabezpieczone przed zdarzeniami przepięcia, wspierając dalszy rozwój pojazdów elektrycznych i innych aplikacji o wysokiej wydajności. ”