Po co ufać firmie?
Przejmujemy panikę z zamówień. Mamy miliony trudno dostępnych części z naszych zaufanych źródeł. Odświeżamy nasze oferty produktów o kilka minut, a zakupy online są realizowane w czasie rzeczywistym i wysyłane codziennie.
Założona w 2002 r. MFGChips jest lokalnym liderem w dystrybucji elementów elektronicznych, a także jest uznawana za jedną z najbardziej szanowanych i innowacyjnych firm na lokalnym rynku. Siedziba główna MFGChips z siedzibą w Hongkongu zyskała imponującą reputację dzięki doskonałej obsłudze i opracowywaniu wydajnych, kompleksowych globalnych rozwiązań w zakresie łańcucha dostaw.
Ucz się więcej >
SIC MOSFET Rodzina do konwersji mocy
AEC-Q101 Kwalifikowane gołej matrycy i dyskretne urządzenia pakowane przechodzą badania przesiewowe WLBI i są testowane pod kątem napięcia awarii lawinowej przekraczającej 2200 V.
Semiq Inc. wprowadził nową rodzinę MOSFET o 1700 V SIC zaprojektowanym w celu zwiększenia zastosowań o średnim napięciu i wysokiej mocy.Obejmują one fotowoltaiczne i wiatrowe falowniki, magazynowanie energii, pojazd elektryczny (EV) i ładowanie drogowe, zasilacze nieprzerwane (UPS) oraz systemy ogrzewania/spawania indukcyjnego.
Szybkie MOSFET QSIC 1700 V mają płaski projekt D-MOSFET, optymalizację wielkości systemu, gęstość mocy i opłacalność w zastosowaniach na dużą skalę.Ich niezawodna dioda nadwozia działa do 175 ° C, z komponentami rygorystycznie testowanymi w celu przekroczenia 1900 V, a UL Avalanche przetestowane do 600 MJ, zapewniając trwałość i solidną wydajność.
Kluczowe specyfikacje to:
Aluminiowa górna strona, nikiel/srebrna dolna strona
Rozpraszanie mocy: 564 w
Ciągły prąd spustowy: 83 A @ 25 ° C
Pulsowany prąd spustowy: 250 A
Napięcie progowe bramki: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ @ 25 ° C
Szybki czas regeneracji: 17 ns
Niski wyciek źródła bramy
Dostępne zarówno w formularzach pakowanych (GP2T030A170X), jak i do 247-4l (GP2T030A170H), urządzenia QSIC 1700 V są również dostępne w wersji kwalifikowanej przez AEC-Q101 (AS2T030A170X i AS2T030A170H).Urządzenia te oferują niskie straty przełączania i przewodzenia, zmniejszoną pojemność i wytrzymały tlenek bramki w celu zwiększenia długoterminowej niezawodności.Wszystkie komponenty podlegają wypaleniu poziomu opłat (WLBI) w celu wyeliminowania słabych urządzeń tlenkowych, gwarantując optymalną wydajność.
Ponadto SemiQ ogłosiło trzy moduły zasilania zaprojektowane w celu uproszczenia integracji systemu.Obejmują one moduł przyrodkowego mostu 62 mm standardowego stopy z izolowaną płytą podstawową i dwoma modułami zasilania pakowanymi SOT-227, które poprawiają gęstość mocy i upraszczają procesy montażu.
Moduły mocy zapewniają rozproszenie większej mocy, a wersje SOT-227 oferują rozpraszanie mocy 652 W, a moduł przyrodniego mostka zapewniający do 2113 W rozpraszania, zapewniając lepsze zarządzanie termicznie do zastosowań o wysokiej wydajności.
Semiq Inc. wprowadził nową rodzinę MOSFET o 1700 V SIC zaprojektowanym w celu zwiększenia zastosowań o średnim napięciu i wysokiej mocy.Obejmują one fotowoltaiczne i wiatrowe falowniki, magazynowanie energii, pojazd elektryczny (EV) i ładowanie drogowe, zasilacze nieprzerwane (UPS) oraz systemy ogrzewania/spawania indukcyjnego.
Szybkie MOSFET QSIC 1700 V mają płaski projekt D-MOSFET, optymalizację wielkości systemu, gęstość mocy i opłacalność w zastosowaniach na dużą skalę.Ich niezawodna dioda nadwozia działa do 175 ° C, z komponentami rygorystycznie testowanymi w celu przekroczenia 1900 V, a UL Avalanche przetestowane do 600 MJ, zapewniając trwałość i solidną wydajność.
Kluczowe specyfikacje to:
Aluminiowa górna strona, nikiel/srebrna dolna strona
Rozpraszanie mocy: 564 w
Ciągły prąd spustowy: 83 A @ 25 ° C
Pulsowany prąd spustowy: 250 A
Napięcie progowe bramki: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ @ 25 ° C
Szybki czas regeneracji: 17 ns
Niski wyciek źródła bramy
Dostępne zarówno w formularzach pakowanych (GP2T030A170X), jak i do 247-4l (GP2T030A170H), urządzenia QSIC 1700 V są również dostępne w wersji kwalifikowanej przez AEC-Q101 (AS2T030A170X i AS2T030A170H).Urządzenia te oferują niskie straty przełączania i przewodzenia, zmniejszoną pojemność i wytrzymały tlenek bramki w celu zwiększenia długoterminowej niezawodności.Wszystkie komponenty podlegają wypaleniu poziomu opłat (WLBI) w celu wyeliminowania słabych urządzeń tlenkowych, gwarantując optymalną wydajność.
Ponadto SemiQ ogłosiło trzy moduły zasilania zaprojektowane w celu uproszczenia integracji systemu.Obejmują one moduł przyrodkowego mostu 62 mm standardowego stopy z izolowaną płytą podstawową i dwoma modułami zasilania pakowanymi SOT-227, które poprawiają gęstość mocy i upraszczają procesy montażu.
Moduły mocy zapewniają rozproszenie większej mocy, a wersje SOT-227 oferują rozpraszanie mocy 652 W, a moduł przyrodniego mostka zapewniający do 2113 W rozpraszania, zapewniając lepsze zarządzanie termicznie do zastosowań o wysokiej wydajności.